Kolaborasi Riset Dosen UIN Raden Intan Lampung Hasilkan Paten Internasional dari UK

banner 120x600
banner 468x60

LAMPUNG – Kolaborasi antara dosen Universitas Islam Negeri (UIN) Raden Intan Lampung (RIL) dengan dosen dari kampus luar negeri berhasil mendapatkan sebuah paten internasional yang inovatif.

Sebuah pencapaian membanggakan itu diumumkan pada acara pembukaan konferensi internasional The 7th Young Scholar Symposium on Science and Mathematics Education and Environment (YSSSEE) di Novotel Hotel Lampung, Rabu (31/07/2024).

Sertifikat paten ini diserahkan secara resmi kepada Rektor UIN RIL Prof H Wan Jamaluddin Z MAg PhD. Paten dengan nomor desain 6379103 ini diterbitkan oleh Intellectual Property Office United Kingdom (UK) pada tanggal 25 Juli 2024, dengan tanggal registrasi 18 Juli 2024.

Paten tersebut merupakan hasil kolaborasi riset dari dosen UIN Raden Intan Lampung, Antomi Saregar dan Fredi Ganda Putra, dengan Dr Arti Hadap dari Vile Parle India, dan Dr Vishal Panse dari Sakharkheda India, yang berhasil menciptakan perangkat untuk mengukur energi celah pita (bandgap energy).

Antomi, salah satu dosen UIN yang terlibat dalam proyek ini menyatakan, bandgap energy merupakan karakteristik penting dalam fisika semikonduktor, yang menunjukkan perbedaan energi antara pita valensi tertinggi yang penuh dan pita konduksi terendah yang kosong. “Untuk mengukur bandgap energy suatu material, kita bisa menggunakan berbagai metode dan perangkat,” jelasnya.

Lebih lanjut Antomi menjelaskan, paten yang diusulkan merupakan desain baru untuk rangkaian startup op-amp yang tidak memerlukan bias eksternal dan peningkatan pada rangkaian inti bandgap untuk semua referensi tegangan bandgap CMOS (BGR).

Dalam rangkaian BGR konvensional, rangkaian startup biasanya memerlukan sinyal reset daya eksternal (POR) atau terdiri dari beberapa transistor MOS untuk menghasilkan arus bias. Rangkaian inti bandgap biasanya memiliki dua node yang arus dan tegangannya dikendalikan oleh resistor dengan nilai yang sama.

Desain baru ini menggunakan hanya satu transistor NMOS untuk rangkaian startup sehingga cocok untuk operasi dengan tegangan suplai rendah dan memastikan stabilitas titik bias saat daya dinyalakan.

“Rangkaian inti bandgap yang baru mendefinisikan arus dan tegangan hanya pada satu node, yang dapat dikendalikan oleh tegangan input op-amp, sehingga mengurangi jumlah resistor yang diperlukan,” jelasnya.

“Harapannya ke depan akan ada lebih banyak grantpenelitian kolaboratif antara perguruan tinggi nasional dan internasional, baik dengan pendanaan internal maupun eksternal UIN Raden Intan. Kami berharap outcome dari penelitian ini tidak hanya berupa publikasi internasional tetapi juga menghasilkan paten yang berdampak,” ujar Antomi yang juga sebagai Kepala Pusat HKI, Paten, dan Publikasi Ilmiah UIN RIL.

Sementara, Rektor Prof H Wan Jamaluddin Z MAg PhD mengatakan, pencapaian ini merupakan bukti nyata dari dedikasi dan komitmen dosen UIN RIL dalam penelitian dan pengembangan ilmu pengetahuan.

“Ini akan meningkatkan visibilitas hasil penelitian dosen UIN RIL di tingkat nasional dan internasional. Kami sangat menghargai kerja keras dan kerjasama tim ini, dan kami berterima kasih kepada para mitra internasional yang telah berkontribusi,” ucapnya.

Rektor menambahkan, kolaborasi ini tidak hanya memperkuat hubungan akademis antara UIN dan institusi luar negeri, tetapi juga menunjukkan kemampuan SDM untuk berinovasi di kancah internasional.

Dengan adanya paten ini, menjadikan posisi UIN RIL sebagai salah satu institusi pendidikan terkemuka yang aktif dalam penelitian dan inovasi global. (rls/uji)

banner 325x300

Tinggalkan Balasan

Alamat email Anda tidak akan dipublikasikan. Ruas yang wajib ditandai *